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美新型纳米内存 海量存储检索速度提高千倍

2018-11-07 10:36:35
美新型纳米内存 海量存储检索速度提高千倍 你是否想像过这类情景:在一个很小的内存器件中存储数百部高分辨率电影,并且不用等待数据缓冲就可以下载并播放它们;或者在无需将操作系统转移到有源内存的情况下,你的笔记本电脑在短短几秒钟内就可以启动? 美国宾夕法尼亚大学研究人员已开发出的一种新型纳米器件,也许能将这些想象变成现实。

这类纳米器件能存储10万年的电脑数据,检索数据的速度比现有的,像闪存和微型硬盘之类的便携式存储设备快1000倍,而且比目前的内存技术更省电、存储空间更小。

该校材料科学与工程系副教授阿格瓦尔及同事采用自组装工艺,用纳米金属催化剂作为媒介,使化学反应剂在低温下结晶,自发形成了直径为30—50纳米、长度为10微米的纳米线。

这种纳米线是一种能在非晶和晶体结构间实现开关功能的相变材料,是对电脑内存进行读/写的关键。

研究人员对定型的纳米线进行了丈量,测量数据包括“写”电流幅值、在非晶和晶相之间开关的速度、长时间稳定性以及数据保留的时间。

测试结果显示,数据编码的功耗极低,数据写、擦除和检索的时间仅为50纳秒,比普通闪存快1000倍。

而且这个器件甚至用上10万年也不会丢失数据,这就为实现万亿位的非易失性内存密度提供了可能。

对非易失性内存应用来说,在电流感应相变系统中,原子级的纳米器件也许是终究的尺寸极限。

研究人员称,相变内存技术相较于闪存等其他内存技术具有读/写快、稳定性高、构建简单的特点。

通过常规光刻技术,在不破坏有效性能的情况下就能降低相变材料的尺寸。

这类新型内存对消费者同享信息、传输数据甚至下载娱乐资料的方式将产生革命性的影响,消费者将能获得和存储“海量”的数据。

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